征文主题：新型半导体激光与探测材料与器件（InP、GaAs、GaP、GaSb等）；  宽禁带半导体材料与器件( SiC、GaN、AlN、InN、Ga2O3、ZnO、c-BN、ZnSe、Diamond、2-D material for Semiconductors）；  半导体检测与加工新技术、新工艺（聚焦离子束技术、电镜技术、原子探针、缺陷分析、失效分析技术等）。

 Main Topics：Noval Diode laser and detect materials and devices such as InP、GaAs GaP、GaSb、SiGe and others；Wide bandgap semiconductor materials and devices such as SiC、GaN、AlN、InN、ZnO、c-BN、ZnSe、Diamond、2-D material for semicondutors；Noval measurement and fabrication methods of semiconductors，such as Focus beam、TEM、APT、Defect analysis、failure analysis

 分会主席：

---

 承办单位： 中科院半导体所、米格实验室、中关村天合宽禁带技术创新联盟

 支持单位：西安电子科技大学、中科院物理研究所、中科院微电子研究所、中科院苏州纳米所、工业和信息化部软件与集成电路促进中心、中国电科装备集团

 论文出版：可推荐至 Springer的Proceedings系列《Lecture Notes in Electrical Engineering》(EI收录）发表。作者也可根据自身情况选择期刊，并提前告知大会联系人。

 联系方式：