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D06-先进微电子与光电子材料

D06-Advanced Microelectronic and Optoelectronic Materials

更新时间:2018/3/29 14:30:42

 征文主题:Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料;用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料;光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料;新型显示材料;先进封装材料;新型二维材料;新型存储材料与技术显示材料;碳纳米管,石墨烯等碳基功能材料;材料检测技术与方法;材料设计理论与计算模拟。

 Main Topics: (Interest include, but not limited to)

      Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors;
       High-k, Low-k, GeSi, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in integrated circuits and optoelectronic devices;
       New display materials;
       Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials;
       Photoresists, DSA, CVD and ALD precursors, CMP materials, process chemicals and targets for integrated circuit fabrication and manufacturing;
       Advanced packaging materials; 
       Materials characterization technology and methods;
       Materials design theory and simulation;
       Novel two dimensional materials;
       Post-CMOS device options;
       Novel memory materials and technologies.


 分会主席:曦、汪正平、林庆煌、赵超


 承办单位:集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟

 支持单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所


 联系方式:宋三年   中国科学院上海微系统与信息技术研究所

                       13818144065,   songsannian@mail.sim.ac.cn

距离会议开幕还有
 会议日期
2018年07月12日-07月16日
 摘要投稿截止日期
2018年05月14日
 网上注册截止日期
2018年07月16日
 全文投稿截止日期
2018年07月16日